Obmedzenie Tri- Gate tranzistory

tranzistor technológie tri- gate využíva štruktúru 3 - D v tranzistora dizajnu, kde sú brány umiestnenej na všetkých troch stranách kremíkovom substráte , ako protiľahlý k len jeden . To má tú výhodu , že riadenie prúdu pri úniku tranzistory sú vo vypnutom stave a zvýšenie toku prúdu pohonu . Kombinácia tri- gate tranzistorov s inými existujúcimi technológiami , ako je použitie napäté kremíka a high - k dielektrika brány , znamená to , že pokračujúce zlepšovanie v tejto technológie prebieha už od svojho vzniku . Niektoré obmedzenia však existujú pri použití tri- gate tranzistorov . Velocity Saturation

Velocity nasýtenia dochádza , keď je dosiahnutá maximálne hodnoty , v ktorej každý nárast napätia nemá za následok lineárne zvýšenie prúdu , čím sa bude proti Ohmovho zákona . Tento efekt sa stáva výraznejší ako tranzistory sa menšie , ako je tomu v prípade , tri- gate tranzistorov . Tento jav sa dá vysvetliť pomocou nižšie uvedeného vzorca :

V = u E
( E je dosť malý )

V = VSAT ( E je dosť silný )

zvyšuje VGS , vypúšťací aktuálne nasýtené mastné kyseliny a pred výskytom pinch - off .
sub - Threshold Swing

sub - prah hojdačka je napätie brána musí zmeniť , raz veľkostí , vypúšťací prúd . Ako tranzistory zmenšujú , dĺžka brány rovnako znižuje a následne to vedie k nárastu sub - prah hojdačka . Akékoľvek zvýšenie výsledkov použitia napätia v elektrickej plytvanie , ktorá sa uvoľňuje vo forme tepla .
DIBL

Drain vyvolané Barrier Zníženie ( DIBL ) je miesto , kde sa prah napätia sú znížené na vysokou spotrebou napätia . Vzhľadom k tomu , dĺžka kanála je znížiť veľkosť , bariéra zníženie zvyšuje . Tento efekt je stále v prevádzke , aj tam , kde nie je použitie reverznej kľudového prúdu . So zvýšenými rozmery 3 - D v tri - gate tranzistory , DIBL sa stáva problém , ktorý berie do úvahy túto novú konštrukciu pri zmene mierky .
Punch Through

Toto je extrémna prípad , kedy je vypúšťací a zdrojovej regióny zlúčiť do jediného vyčerpania región . Ak k tomu dôjde , je brána poľa závisí na drain - zdroj napätia . Vďaka tomuto efektu sa zvýšil prúd ako drain - source zvyšuje napätie , a tým sa obmedzuje maximálne prevádzkové napätie .
Obmedzenie rýchlosti

v poriadku nanometrov , prevádzková rýchlosť je ovplyvnená o RC časovej konštanty a mobility nosiča . Použitie high - k dielektrika znamená , že vyššia polarizácia bude mať skúsenosti . Na druhej strane to vytvára fonon vibrácie , ktoré sa stretávajú s elektrónovou mobilitou , čo má za následok zníženú výkonnosť .

• Predchádzajúca strana: Pokyny pre GR- 312 BT - GPS USB dongle s dátami Prihlasovanie 
• Ďalšia strana: NEMA 12 Vs . NEMA 1